1、4.5V-28V宽输入电压;
2、单芯片DDR4设计兼容DDR3/DDR3L;
3、输出从0.6V至5V可调;
4、8A连续输出电流;10A 峰值输出电流;
5、可选500kHz/700kHz开关频率;
6、内置1A VPP LDO;内置+/-1A VTT LDO;1%精度的VTTREF输出;
7、OCL,OVP,UVP和OTP保护;
8、小体积QFN16(3*3mm)封装。
1、4.5V-28V宽输入电压;2、单芯片DDR4设计兼容DDR3/DDR3L;3、输出从0.6V至5V可调;4、8A连续输出电流;10A 峰值输出电流;5、可选500kHz/700kHz开关频率;6、内置1A VPP LDO;内置+/-1A VTT LDO;1%精度的VTTREF输出;7、OCL,OVP,UVP和OTP保护;8、小体积QFN16(3*3mm)封装。